激光与红外

作者：李浩冉

单位：中电科光电科技有限公司,北京 100020；

关键词：开管循环退火;位错;载流子迁移率;应力驱动位错

本文研究了开管循环退火对碲镉汞材料性能的影响。研究表明,在350℃退火温度下进行6次循环可显著降低位错密度(最高降低3030)并提升载流子迁移率(最高提升4135),明显优于传统闭管退火。位错减少主要源于高低温循环的应力驱动,而非退火时间延长。基于优化条件制备的红外探测器芯片性能优异,非均匀性为457,盲元率为001。

来源：2026年第4期

《激光与红外》期刊编辑部

查看激光与红外杂志2026年第4期