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国内刊号：11-2436/TN
国际刊号：1001-5078
发布日期:
作者：李浩冉
单位：中电科光电科技有限公司,北京 100020；
关键词：开管循环退火;位错;载流子迁移率;应力驱动位错
本文研究了开管循环退火对碲镉汞材料性能的影响。研究表明,在350℃退火温度下进行6次循环可显著降低位错密度(最高降低3030)并提升载流子迁移率(最高提升4135),明显优于传统闭管退火。位错减少主要源于高低温循环的应力驱动,而非退火时间延长。基于优化条件制备的红外探测器芯片性能优异,非均匀性为457,盲元率为001。
来源：2026年第4期
《激光与红外》期刊编辑部
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