激光与红外

作者：袁庆贺

单位：1.湖南警察学院交通管理系,湖南 长沙 410138；2.中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京 100083；

关键词：近红外;窄线宽;半导体激光器;光栅

基金：湖南省教育厅优秀青年项目(No.23B0924)资助。

为了获得高功率、窄线宽808nm半导体激光器,提高其波长稳定性,采用纳米压印的方法,在激光器芯片内部制备了周期120nm,刻蚀深度65nm,占空比05的分布反馈布拉格光栅,并成功研制了腔长1000 μｍ、脊波导宽 5μm的半导体激光器。结果表明,当注入电流为126mA时,室温连续条件下该器件的输出功率可达595mW,光谱线宽32 pm,远场水平发散角约为36°,可以为国内外相关研究提供参考。

来源：2025年第11期

《激光与红外》期刊编辑部

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