激光与红外

作者：戴永喜

单位：1.华北光电技术研究所,北京 100015；2.中国电子技术标准化研究院,北京 100007；

关键词：HgCdTe;MIS;表面钝化;固定电荷密度;界面态密度;暗电流

本文对碲镉汞钝化层、碲镉汞/钝化层界面进行深入研究。采用 SEM、EDX对CdTe/ZnS钝化层的表面形貌、元素组分进行表征分析。通过制作MIS器件、光电二极管器件研究钝化层与 HgCdTe 界面的电学特性,利用低温探针台C V 测试系统、I V 测试系统以及焦平面测试系统,验证优化后的钝化工艺对HgCdTe 探测器电学性能的影响。结果表明,通过调整表面钝化工艺,固定电荷密度从279×1011/cm2降低至519×1010/cm2,界面态密度从159×1011/cm2降低至765×1010/cm2,器件的暗电流从78×10-9A降低至243×10-10A,光电二极管器件的表面漏电现象获得了有效抑制,探测器稳定性能得到明显提升。

来源：2025年第11期

《激光与红外》期刊编辑部

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