激光与红外

作者：赵传兴

单位：1.山东大学 集成电路学院,山东 济南 250101；2.华北光电技术研究所,北京 100015；

关键词：碲镉汞;ICP干法刻蚀;高深宽比台面刻蚀;扫描电镜;IV测试

本文研究了HgCdTe材料的高深宽比干法刻蚀技术,对分子束外延生长的异质结HgCdTe材料使用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)进行像元隔离。对不同干法工艺条件下刻蚀的样品进行SEM表征,确定了刻蚀表面相对光滑的工艺条件。在此基础上,对不同刻蚀形貌的样品进行器件加工并结合IV测试表征,得到了刻蚀形貌、刻蚀损伤与电学特性的关系:刻蚀表面粗糙会导致钝化层覆盖不均匀,使得HgCdTe与钝化层界面存在陷阱能级,导致器件暗电流增加,降低器件品质因数；刻蚀损伤过大会使Hg-Te化合键断裂,Hg填隙原子增加,使得n型HgCdTe参杂浓度上升,空间电荷区宽度变小,内建电场强度变高,反向击穿电压下降。最后,优化侧壁刻蚀形貌、降低刻蚀损伤后,制备了电学特性优异的红外光电探测器器件。

来源：2025年第8期

《激光与红外》期刊编辑部

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