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国内刊号：11-2436/TN
国际刊号：1001-5078
发布日期:
作者：王娇
单位：中国电子科技集团公司第十一研究所,北京 100015；
关键词：CdTe薄膜;溅射功率;微观结构;致密性;CV;IV
本文通过对高结晶性CdTe钝化层的生长条件进行优化,调控薄膜致密性,利用SEM和椭偏仪等表征手段对钝化层的表面形貌、微观结构和光学性能进行深入分析,获得薄膜最佳致密性生长条件；通过结合C V、I V表征手段,对不同致密性的CdTe薄膜与HgCdTe之间的界面电学性质及其对光电二极管性能的影响进行系统研究。结果表明,在溅射功率200W时,获得CdTe钝化层致密性最佳,能对钝化层与HgCdTe界面电学特性有效改善。此功率制备的MIS器件具有更低的界面固定电荷密度121×1011cm-2和慢界面态密度126×1011cm-2,且以此功率制备的二极管器件可以有效抑制器件表面漏电现象。
来源：2025年第7期
《激光与红外》期刊编辑部
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