激光与红外

作者：王鑫

单位：华北光电技术研究所,北京 100015；

关键词：碲镉汞;10μm间距;ponn;异质结

p on n结构的碲镉汞红外探测器芯片的暗电流低、少子寿命长,是目前高性能红外探测器的主流发展方向,同时,为了满足未来红外探测器小型化的发展需求,本文主要针对p on n型长波10μm像元间距1280×1024探测器芯片进行了研究,采用了p on n异质结的技术路线,对小间距台面成型及钝化技术进行研究,通过SEM评价台面及钝化形貌,通过CV测试评价出钝化层质量,并进行了探测器的研制,采用半导体参数测试仪对芯片在77 K下进行pn结的I V特性的评价,测试出IV特性曲线,并对芯片进行倒装互连电路进行了性能测试,获得了性能较好的探测器芯片。该研究对小间距长波p on n碲镉汞焦平面器件的制备具有重要意义。

来源：2025年第3期

《激光与红外》期刊编辑部

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