激光与红外

作者：李浩冉

单位：华北光电技术研究所,北京 100015；

关键词：汞蒸气压;位错密度;霍尔测试

基金：河南省重点研发专项项目(No.221111220200)；河南省重点研发与推广专项(科技攻关)项目(No.222102210226)；2023年河南省重大科技专项项目(No.231100220800)资助。

本文通过改变碲镉汞材料退火的汞量,研究了汞蒸气压对碲镉汞材料表面形貌、位错密度、晶体质量及电学特性的影响。研究发现,在3倍正常汞量条件下退火后,表面形貌平坦,粗糙度(Ra)达到了0235nm,晶体质量最低降至447 arcsec位错密度降低至71×104cm-2。霍尔测试结果表明该材料已经完全转变为N型。

来源：2025年第1期

《激光与红外》期刊编辑部

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