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国内刊号：11-2436/TN
国际刊号：1001-5078
发布日期:
作者：郝斐
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
关键词：碲镉汞;富汞垂直液相外延;ponn型异质结
本文重点介绍了富汞垂直液相外延技术,在对该技术进行研究时,提出了一种温场优化方法和一种生长方法来提升材料质量和工艺稳定性。最后介绍基于双层异质结材料采用台面结器件加工等碲镉汞探测器组件制备方法,制备中波、长波和甚长波碲镉汞探测器组件的进展情况。
来源：2024年第8期
《激光与红外》期刊编辑部
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