激光与红外

作者：赵超

单位：中国电子科技集团公司第十一研究所,北京 100015；

关键词：锑化铟;红外探测器;正电子湮灭谱;空位缺陷;晶体生长拉速;导电类型

锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究,同时还对不同晶体生长拉速、导电类型晶体材料的正电子湮灭寿命进行分析。结果表明其内部主要为VIn型空位缺陷,且在一定拉速范围内,正电子湮灭寿命基本无变化,此外空位缺陷也不是导致N型锑化铟晶体材料导电类型反型的主要原因。

来源：2024年第1期

《激光与红外》期刊编辑部

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