激光与红外

作者：高达

单位：1.华北光电技术研究所,北京 100015；2.重庆嘉陵华光光电科技有限公司,重庆 400700；

关键词：分子束外延;碲镉汞;HgTe/CdTe超晶格

报道了分子束外延生长HgTe/CdTe超晶格结构相关技术。采用HgTe/CdTe超晶格结构进行As掺杂是降低As掺杂元素激活温度的技术路径之一。本文采用分子束外延技术在3 in硅衬底上获得了HgTe/CdTe超晶格结构材料,并采用250℃低温退火获得了激活的原位As掺杂碲镉汞材料。

来源：2023年第9期

《激光与红外》期刊编辑部

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