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国内刊号：11-2436/TN
国际刊号：1001-5078
发布日期:
作者：邢晓帅
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
关键词：碲镉汞;热处理;位错密度;电学性能;载流子迁移率
实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升。研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法。
来源：2023年第4期
《激光与红外》期刊编辑部
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