激光与红外

作者：闫恒彬

单位：1.昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南 昆明 650500；2.中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心,北京100029；

关键词：吸附反应外延;红外;硅片;仿真;温度场分布

基金：中科院关键技术团队项目(No.GJJSTD20200003)资助。

为指导全新的吸附反应外延技术ARE(Absorption Reaction Epitaxy,ARE)设备红外热源的设计,分析在真空腔室中红外管阵列的热流分布。通过对灯管阵列灯管数量、灯管间距、灯阵与硅片之间距离等设计参数。采用COMSOL Multiphysics软件进行仿真模拟,研究了以红外为热源的设备腔室及硅片温度场分布情况,实测硅片表面温度及均匀性与仿真基本吻合。结果表明在保证源在硅片表面良好扩散效果的同时,当灯管阵列灯管长度为200mm,数量为11根,间距10mm,距离硅片15mm时硅片表面温度不均匀度达到0683,满足红外加热吸附反应外延工艺需求,可为ARE红外热源及腔室设计提供参考。

来源：2023年第3期

《激光与红外》期刊编辑部

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