激光与红外

作者：段永飞

单位：1.上海理工大学材料与化学学院,上海200093；2.中国科学院上海技术物理研究所,上海200083；

关键词：外延薄膜;半导体材料与器件;光伏探测器;红外材料与器件

采用液相外延技术生长了InAs基室温红外探测器件材料,通过光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪分析了外延材料表面形貌、截面形貌与晶格失配的关系。分析发现,不恰当的晶体晶格常数匹配度会导致材料表面形貌变差,降低材料的结晶质量,晶格失配在022左右的InAs基外延材料表面形貌较好,缺陷少,晶体质量较好。在此基础上,成功制备出室温探测率D*为68×109cm·Hz1/2·W-1的InAs基室温中波红外探测器,这一性能与国际上红外探测器领军企业美国TeledyneJudson Technologies和日本滨松株式会社的商用InAs基红外探测器性能处于同等水平。

来源：2023年第3期

《激光与红外》期刊编辑部

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