国内刊号:11-2436/TN
国际刊号:1001-5078
发布日期:
作者:李震
单位:华北光电技术研究所,北京 100015;
关键词:碲化锌;碲化镉;迁移增强外延;粗糙度;半峰宽
Si基CdTe中ZnTe缓冲层的生长影响着材料表面粗糙度和半峰宽。本文为了验证分子束外延Si基CdTe中采用迁移增强外延(MEE)技术生长的ZnTe缓冲层的生长参数对复合衬底材料表面粗糙度和半峰宽的影响,对涉及到的MEE生长过程中的主要参数包括:Zn与Te数值比、MEE生长温度、Zn与Te束流强度值进行研究,设计了三组实验,并使用高分辨X光衍射仪、白光干涉仪和红外傅里叶光谱仪测试外延薄膜生长结果,总结MEE生长参数对复合衬底材料质量影响,通过实验得到最优的外延工艺条件,提高材料质量。
来源:2022年第5期
《激光与红外》期刊编辑部