国内刊号:11-2436/TN
国际刊号:1001-5078
发布日期:
作者:李吴皓
单位:武汉光迅科技股份有限公司,湖北 武汉 430074;
关键词:超辐射发光二极管;掩埋异质结;大功率;低偏振消光比;宽光谱
超辐射发光二极管(SLED)是一种非相干性光源,具有激光器功率大,耦合效能高的优点,同时也有着频谱宽、相干长度短等特点,可以应于光学相干层析技术和波分复用技术等领域。未来的发展方向是更大的功率,更大的带宽以及更低的消光比。本论文研究了1310nm波段具有掩埋异质结构的高性能SLED芯片的设计与波导工艺制作,采取7°倾斜波导并镀上反射率小于01的增透膜。经测试该SLED芯片具有大的饱和出光功率(超过20mW),低的偏振消光比(低于05dB),以及良好的光谱特性(3dB光谱带宽大于50nm,光谱纹波小于01dB)。
来源:2022年第2期
《激光与红外》期刊编辑部