激光与红外

作者：张冰

单位：1.西安交通大学微电子学院,陕西 西安 710049；2.宁波飞芯电子科技有限公司,浙江 宁波 315000；3.北京大学微纳加工国家重点实验室,北京 100871；

关键词：雪崩光电二级管;增益;雪崩倍增;过剩噪声

基金：国家自然科学基金项目(No.61874085)和陕西省博士后项目资助。

基于光子在雪崩光电器件内吸收位置的差异,提出过剩噪声因子在器件垂直方向的分布模型,并基于TCAD 和Matlab 仿真,验证了模型的有效性。模型考虑了光子在硅雪崩器件内不同吸收位置的过剩噪声因子,结合光子在器件深度方向的吸收比例,计算器件(器件结构由TCAD构造)的平均噪声因子水平:233 @ E=34×105 V/cm 和534 @ E=36×105 V/cm,比单独考虑光子在N中性体区吸收(过剩噪声因子:288 @ E=34×105 V/cm 和1294 @ E=36×105 V/cm)或P中性体区吸收(过剩噪声因子:221 @ E=34×105 V/cm 和379 @E=36×105 V/cm),更能反映器件的真实工作情况。

来源：2021年第11期

《激光与红外》期刊编辑部

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