激光与红外

作者：龙长林

单位：中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南 长沙 410205；

关键词：PECVD;SiO2薄膜;喷淋板;均匀性

针对半导体产业对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用自制的PECVD设备研究了SiO2薄膜生长的膜厚均匀性分别与喷淋板孔结构和工艺参数之间的关系。实验结果表明:在结构方面,SiO2薄膜均匀性主要受到喷淋板孔径大小与结构的影响；在工艺参数方面,SiO2薄膜的膜厚均匀性主要受到反应腔室压力的影响。通过结构和工艺参数的综合调整,制备出了膜厚均匀性好的SiO2薄膜。

来源：2021年第10期

《激光与红外》期刊编辑部

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