激光与红外

作者：萧生

单位：1.陕西理工大学机械工程学院,陕西 汉中 723001；2.轻工业钟表研究所精密机电部,陕西 西安 710061；

关键词：异质结构;InSb雪崩二极管;红外探测器;暗电流

基金：陕西省教育厅重点实验室项目(No.16JS016)；陕西省教育厅专项科研计划(No.18JK0151)；陕西理工大学人才启动基金项目(No.SLGQD2017-19)资助。

制冷要求仍然是制约中红外探测器应用的主要因素。设计了一种异质pin结构的InSb雪崩光电二极管。采用宽禁带、低复合率的材料GaSb和InP形成异质结,并将I区设计成吸收、倍增层分离的雪崩区域。该异质结构有效地抑制了扩散电流,在300K时,JAuger被显著抑制在大小为1×10-7 A/cm2的水平。器件的主要限制是SRH复合和带对带隧穿。为了优化器件的性能,详细讨论了暗电流机理,证明了较低的杂质浓度有利于雪崩过程。在300K时,吸收峰位于5.1μm附近,光响应度为2.16 A/W,其增益为5.7,比检测率为2.866×109cm·Hz1/2·W-1。

来源：2021年第7期

《激光与红外》期刊编辑部

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