国内刊号:11-2436/TN
国际刊号:1001-5078
发布日期:
作者:王丛
单位:华北光电技术研究所,北京 100015;
关键词:表面平整度;Si;复合衬底;HgCdTe
分子束外延Si基HgCdTe材料的表面平整度对红外焦平面组件的制备有重要的影响。分子束外延的Si基复合衬底作为HgCdTe分子束外延的衬底材料对最终外延材料的表面平整度的影响较大。本文通过研究工艺过程中各外延因素对Si片和衬底材料表面平整度的影响,通过实验发现脱氧工艺的高温影响最大,其次是Si片自身的表面平整度和外延膜层的厚度。因此要获得低表面平整度的Si基复合衬底必须满足以下三个条件:低Si片表面平整度,低脱附工艺温度,低外延膜厚。
来源:2021年第5期
《激光与红外》期刊编辑部