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国内刊号：11-2436/TN
国际刊号：1001-5078
发布日期:
作者：李震
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
关键词：MBE;衬底;CdZnTe;HgCdTe;CdTe
主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底。本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向。
来源：2020年第6期
《激光与红外》期刊编辑部
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