国内刊号:11-2436/TN
国际刊号:1001-5078
发布日期:
作者:王丛
单位:华北光电技术研究所,北京 100015;
关键词:InSb;CdTe;In扩散;钝化层
分子束外延HgCdTe/InSb 材料需要阻止 In 元素在 HgCdTe 中的不受控扩散。我们使用 CdTe缓冲层作为阻挡层,以期控制 In 的扩散。为研究 In 元素在 CdTe 材料中的扩散,我们使用分子束外延方法获得CdTe/InSb样品。考虑到在退火时In 元素可能通过环境扩散污染材料,我们使用 SiO2 作为钝化层,通过对比试验发现 In 元素通过环境扩散污染表面的证据,为控制 In 元素的扩散提供新的思路。
来源:2020年第5期
《激光与红外》期刊编辑部