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国内刊号：11-2436/TN
国际刊号：1001-5078
发布日期:
作者：陈慧卿
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
关键词：碲镉汞;p-on-n;As注入;高温工作
针对碲镉汞中波p-on-n技术进行研究,采用二次离子质谱仪分析注入后及退火后 As 离子在碲镉汞材料中的浓度分布,使用透射电镜表征激活退火后离子注入损伤修复状态,通过半导体参数测试仪评价pn结的IV特性,将探测器芯片装在变温杜瓦中测试其不同温度下的焦平面技术指标。研究结果表明,As离子注入后在碲镉汞体内形成大量缺陷,经过富汞退火后缺陷得到修复,同时As离子进一步向内扩散,制备的pn结工作稳定表明As离子得到有效激活,制备的中波p-on-n探测器芯片在120 K温度下有效像元率可以达到99 %以上。
来源：2020年第4期
《激光与红外》期刊编辑部
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