国内刊号:11-2436/TN
国际刊号:1001-5078
发布日期:
作者:李海燕
单位:1.华北光电技术研究所,北京 100015;2.机械工业仪器仪表综合技术经济研究所,北京 100055;
关键词:锑化铟;离子注入;干法刻蚀
随着红外探测技术的不断发展,市场对红外探测器提出了越来越多的要求,如高分辨率、高工作稳定性、低成本、小型化等,红外探测器光敏芯片的制备技术随之向大面阵、小间距方向不断探索。基于市场需求,本文从技术发展的角度,研究采用离子注入技术、干法刻蚀技术制备台面结型焦平面阵列,实现高性能、窄间距、小型化光敏芯片的制备,为未来高分辨率芯片的制备奠定技术基础。文章介绍了128×128(15 μm)、128×128(10 μm)两款器件的制备,两款器件中测I-V性能良好,其中,128×128(15 μm)器件杜瓦封装组件后性能表现良好。
来源:2020年第1期
《激光与红外》期刊编辑部