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国内刊号：11-2436/TN
国际刊号：1001-5078
发布日期:
作者：宋淑芳
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
关键词：HgCdTe;雪崩二极管;二维/三维成像
碲镉汞红外雪崩光电二极管(APD)阵列作为最近十多年来发展起来的新型探测器,以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点,成为未来微弱信号探测、二维/三维成像、主/被动探测应用的重要器件。本文重点阐述了雪崩光电二极管的基本原理、以及HgCdTe雪崩光电二极管材料和器件的研究,结合应用方向对其研究进展进行了综述性介绍。
来源：2019年第10期
《激光与红外》期刊编辑部
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