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国内刊号：11-2436/TN
国际刊号：1001-5078
发布日期:
作者：邢伟荣
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
关键词：InAs/GaSb;Ⅱ类超晶格;电学性能;霍尔测试
为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺杂对超晶格电学性能的影响。
来源：2019年第6期
《激光与红外》期刊编辑部
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