激光与红外

作者：张智超

单位：1.华北光电技术研究所,北京 100015;2.空军驻华北地区军事代表室,北京100086；

关键词：碲镉汞;RV;暗电流;拟合

对硼离子注入制备的N on P平面结长波碲镉汞探测器的RV曲线进行分析,研究不同偏压下暗电流机制,提取得到探测器的电学参数及理想因子,表明为提升器件性能,需要对探测器的陷阱辅助隧穿电流及产生复合电流进行抑制。通过对长波碲镉汞探测器RV曲线的拟合分析,表明RV拟合技术作为一种有效的分析方法,可用于评估器件性能和工艺状态,并指导工艺改进。

来源：2019年第4期

《激光与红外》期刊编辑部

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