国内刊号：11-2436/TN
国际刊号：1001-5078
发布日期:
作者：杨朝臣
单位：武汉高芯科技有限公司,湖北 武汉 430205；
关键词：碲镉汞;高温中波;CdTe/ZnS双层钝化;红外探测器
采用CdTe/ZnS双层钝化工艺制备了640×512@15 μm碲镉汞中波探测器。研究了退火温度对CdTe/MCT界面及CdTe钝化膜质量的影响。经测试表明:本公司制备的碲镉汞HOT中波探测器可以在125 K稳定工作,但与国外的先进技术相比仍存在差距,需要在MCT材料改进和器件加工工艺上继续深入研究,才能提高探测器的工作温度和稳定性。
来源：2019年第2期
《激光与红外》期刊编辑部