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国内刊号：11-2436/TN
国际刊号：1001-5078
发布日期:
作者：葛玉斌
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
关键词：碲镉汞;正交试验;分子束外延
采用正交试验方法优化了Si基碲镉汞分子束外延工艺参数,以缺陷密度和缺陷尺度为评判标准。采用三因素三水平正交试验方法,分别使用生长温度、Hg/Te比、生长速率三个因素作为变化的参数。结果表明生长温度对HgCdTe缺陷影响最大,生长速率次之,Hg/Te比最小。使用正交试验获得的生长参数进行试验即生长温度212℃,Hg流量61 sccm,生长速率为1.5 μm/h,获得的HgCdTe材料缺陷密度控制在500 cm-2以内,平均缺陷直径小于3.5 μm。
来源：2019年第2期
《激光与红外》期刊编辑部
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