激光与红外

北大核心,CA,JST,CSCD扩展版,WJCI

国内刊号:11-2436/TN

国际刊号:1001-5078

激光与红外杂志2019年第1期:硅基异质集成化合物半导体技术新进展

发布日期:

作者:张东亮

单位:中国电子科技集团公司信息科学研究院,北京 100086;

关键词:微系统;异质集成;射频微电子;硅光子集成;三维集成

随着摩尔定律即将走向尽头,以及军民电子信息系统对多功能集成、高密度集成、小体积重量、低功耗、大带宽、低延迟等性能的持续追求,将多种化合物半导体材料体系(如GaN、InP、SiC等)的功能器件、芯片,与CMOS集成电路的芯片进行异质集成的技术正在拉开序幕,将在微电子、光电子等领域带来一场新的革命,硅基异质集成也被认为是发展下一代集成微系统的技术平台。本文梳理了射频微电子学与硅光子学领域中以化合物半导体为主的材料(或芯片)与硅半导体材料(或芯片)异质集成的最新进展,以期国内相关领域研究人员对国外的进展有一个比较全面的了解。

来源:2019年第1期

《激光与红外》期刊编辑部

查看激光与红外杂志2019年第1期

联系我们

  • 地址:北京市朝阳区酒仙桥路4号十一所院内
  • 电话:010-84321137
  • E-mail:paper@laser-infrared.com

咨询工作人员